Nano ve Optoelektronik Araştırmalar Laboratuarları

İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü Nano ve Optoelektronik Araştırmalar Laboratuarları’nın kuruluş amacı, nanoboyutlu yarıiletken tabanlı elektronik ve optoelektronik yapıların geniş bir sıcaklık alan aralığında (- 271oC ile +40oC arası) optik ve elektronik karakterizasyonu, 7 Tesla’ya kadar değişen manyetik alan altında yük taşınımı mekanizmalarının incelenmesi, yarıiletken yapılar içindeki olabilecek yapısal kusurların belirlenmesi, nanoyapıların sentezlenmesi ve sentezlenen nanoyapılara dayalı sensör geliştirilmesine yönelik çalışmalar yapmaktır. Bu laboratuvarlar nanoboyutlu optoelektronik malzeme ve aygıtların elektriksel ve optiksel karakterizasyonu konularında mükemmeliyet merkezi haline gelmiştir. Laboratuvarın şu andaki mekanda kuruluşu 2000 yılında gerçekleşmiştir. Ancak laboratuar olanaklarının büyük bir kısmını Prof. Dr. Çetin Arıkan’ın TÜBİTAK Temel Bilimler Araştırma Enstitüsü’nde 1980’li yılların sonlarına doğru kurmaya başlamış olduğu laboratuarları İstanbul Üniversitesi’ne transfer etmesine borçluyuz. İlerleyen yıllarda laboratuvar olanakları Prof. Dr. Çetin Arıkan ve Doç. Dr. Ayşe Erol’un TÜBİTAK, DPT, İ.Ü. BAP projeleri ile alınan ve ayrıca uluslararası işbirlikleri sonucunda Essex Üniversitesi (İngiltere) tarafından hibe olarak Prof. Dr. Çetin Arıkan’ın kullanımına verilen aletlerle genişletilmiştir. Laboratuvarların sahip olduğu imkanlar ulusal ve uluslararası işbirliklerine olanak tanımaktadır.

Nano ve Optoelektronik Laboratuvarları’nın olanakları nanoboyutta aygıt üretimine olanak tanıyacak olan Kalkınma Bakanlığı destekli İLERİ LİTOGRAFİK YÖNTEMLER LABORATUVARLARI’nın kurulmasının tamamlanması ile daha da artacaktır.

ARAŞTIRMA ÇALIŞMALARI:

Araştırma çalışmaları 3 ana grupta toplanabilir:

  1.  Yeni malzemelerin optik ve elektriksel karakterizasyonu
  2.  Düşük/yüksek manyetik alan altında yük taşınım olaylarının incelenmesi
  3.  II-VI grubu nanoyapıların sentezlenmesi,  sensör tabanlı özelliklerinin incelenmesi.

ARAŞTIRMA OLANAKLARI

Optik Karakterizasyon

–          Spektral Fotoiletkenlik: Fotoiletkenlik spektrumu malzemelerin bant aralığı ve olası tuzak seviyeleri hakkında bilgi verir.  Ölçümler 30-300K sıcaklık aralığında ve geniş bir dalgaboyu bölgesinde (200nm – 10µm) yapılabilmektedir.

–          Spektral Fotovoltaj:  Spektral fotovoltaj malzemelerde yer alan kusurların incelenmesi ve ışık altında oluşan fotovoltajın büyüklüğünün dalgaboyuna göre değişiminin gözlenmesinde kullanılmaktadır. Ölçümler 30-300K sıcaklık aralığında ve geniş bir dalgaboyu bölgesinde (200nm – 100µm) yapılabilmektedir.

–          Fotolüminesans: Fotolüminesans yarıiletkenlerin bant aralıklarının ve ışımalı tuzak seviyelerinin enerjilerinin belirlenmesinde kullanılmaktadır. Ayrıca ışık kaynağının şiddetine bağlı olarak incelen fotolüminesans değişimleri bant aralığı civarında yer alan lokalize seviyelerin enerjilerinin belirlenmesinde de kullanılmaktadır. Ölçümler 1.6K-300K sıcaklık aralığında ve geniş bir dalgaboyu bölgesinde (200nm – 10 µm) yapılabilmektedir.

–          Yansıtma ve Modüle edilmiş Fotoyansıtma ölçümleri: Malzemelerin dalgaboyuna bağlı yansıtıcılığı yansıtma ölçümüyle belirlenmektedir. Bant aralığı, düşük boyutlu sistemlerde eksitonik seviyeler ise Modüle edilmiş Fotoyansıtma ölçümleriyle belirlenmektedir.

Elektriksel Karakterizasyon

–          Akım-Voltaj (I-V) Ölçümleri (a.c. & d.c)

–          Photo-induced Transient Spectroscopy (PITS): Yarıiletken malzemelerin bant aralığı içinde bulunan tuzak seviyelerinin aktivasyon enerjileri ve yakalama tesir kesitlerinin belirlenmesi için kullanılmaktadır.

Yük Transportu Ölçümleri

–           Hall Olayı sistemi: Taşıyıcı konsantrasyonu, taşıyıcı mobilitesi ve yarıiletkenin tipi hakkında bilgi edinmek için 2.1T’ya kadar değişen manyetik alan altında ve 10-300K sıcaklık aralığında ölçümler yapmak için kullanılmaktadır.

–          Magnetotransport: Yarıiletkenkenlerde etkin kütle, mobilite, taşıyıcı konsansantrasyonu, taşıyıcı saçılma zamanları hakkında inceleme yapmak için kullanılmaktadır. Erişilen manyetik alan 7T ve çalışılan sıcaklık aralığı 4-300K arasındadır.

 

ARAŞTIRMA GRUBU

  • Prof. Dr. Çetin ARIKAN
  • Doç. Dr. Ayşe EROL
  • Araş. Gör. Dr. Ferhat NUTKU
  • Dr. M. Selin Sunay YAPIŞKAN
  • Araş. Gör. Ömer DÖNMEZ
  • Proje Uzmanı Leyla Başak BÜKLÜ (Doktora Öğrencisi)
  • Proje Uzmanı Fahrettin SARCAN (Doktora öğrencisi)
  • Halim Onur ÖZTEL (Yüksek Lisans öğrencisi)
  • Burak KAY (Lisans öğrencisi)

 

İletişim:

Prof. Dr. Çetin Arıkan: arikan@istanbul.edu.tr | 212 455 57 00- 15005

Doç. Dr. Ayşe Erol: ayseerol@istanbul.edu.tr | 212 455 57 00 –15498

Faks:     212 440 00 69

15 Mart 2013
2770 defa okundu

İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi
PK 34134 Vezneciler, Fatih/İstanbul
Telefon: 0212 455 57 00, Faks: 0212 519 08 34